[实用新型]晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201220208105.2 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN202662651U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 郭群超;庞宏杰;王凌云;柳琴;白晓宇;张愿成;张滢清 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，它包括晶体硅片衬底，在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结，各PN结分别由P型层和N型层构成，在晶体硅片衬底的前表面顺序设有绒面和减反射层，在晶体硅片衬底的背表面设有金属电极和/或P+层。本实用新型的晶体硅太阳能电池可以有效减少入射光损失；降低电极电阻和接触电阻；有效的提高了太阳能电池的短路电流、开路电压和填充因子，提高了太阳能电池的转换效率；输出电压高，可用于特殊场合。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：包括晶体硅片衬底，在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结，各PN结分别由P型层和N型层构成，在晶体硅片衬底的前表面顺序设有绒面和减反射层，在晶体硅片衬底的背表面设有金属电极和/或P+层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
