[实用新型]串联电容的动态均压电路

摘要

本实用新型公开一种串联电容的动态均压电路，包括相互并联的电容和稳压二极管；稳压二极管的正极与N沟道MOSFET的源极相连接，并作为第三端子；稳压二极管的负极与N沟道MOSFET的栅极相连接；第二端子通过第一电阻组与稳压二极管的负极相连接，并通过第二电阻组与稳压二极管的正极相连接；第一端子通过第三电阻组与稳压二极管的负极相连接，并通过第四电阻组与N沟道MOSFET的漏极相连接。在串联电容电压差不大时保持高阻抗，降低电阻上消耗的功率；当电容压差变大时电阻变小并入电容端使压差变小，达到动态平衡。可使用小功率SMD电阻，电阻体积小、效率高，多种电容可使用同一种规格设计，可批量生产，降低采购成本。

主权项

一种串联电容的动态均压电路，其特征在于：包括分别与串联电容的正极、串联电容的负极、串联电容的中心点相连接的第一端子（P）、第二端子（N）以及第三端子（Mid），还包括相互并联的电容（C1）和稳压二极管（ZD1）；所述稳压二极管（ZD1）的正极与N沟道MOSFET（Q1）的源极相连接，并作为所述第三端子（Mid）；所述稳压二极管（ZD1）的负极与N沟道MOSFET（Q1）的栅极相连接；所述第二端子（N）通过第一电阻组（R1~R3）与稳压二极管（ZD1）的负极相连接，并通过第二电阻组（R4~R6）与稳压二极管（ZD1）的正极相连接；所述第一端子（P）通过第三电阻组（R7~R9）与稳压二极管（ZD1）的负极相连接，并通过第四电阻组（R10~R12）与N沟道MOSFET（Q1）的漏极相连接；第一端子（P）和第三端子（Mid）之间的电解电容的内阻抗（R(C2)）>第二端子（N）和第三端子（Mid）之间的电解电容的内阻抗（R(C3)）// 第二电阻组（R4~R6）的阻值；第二端子（N）和第三端子（Mid）之间的电解电容的内阻抗（R(C3)）//第二电阻组（R4~R6）的阻值 > 第一端子（P）和第三端子（Mid）之间的电解电容的内阻抗（R(C2)）// 第四电阻组（R10~R12）的阻值；第一电阻组（R1~R3）的阻值 = 第三电阻组（R7~R9）的阻值。