[实用新型]电荷补偿半导体器件有效
| 申请号： | 201220169657.7 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN202930388U | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电荷补偿半导体器件。一种半导体器件包括具有限定竖直方向的第一表面的半导体本体和布置在第一表面上的源极金属化。在竖直横截面中，半导体本体进一步包括：第一传导类型的漂移区域；第二传导类型的至少两个补偿区域，每个补偿区域与漂移区域形成pn结并且与源极金属化低阻电连接；第一传导类型的漏极区域，漏极区域的最大掺杂浓度高于漂移区域的最大掺杂浓度；以及第一传导类型的第三半导体层，布置在漂移区域和漏极区域之间并且包括浮动场板和与第三半导体层形成pn结的第二传导类型的浮动半导体区域中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 补偿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，具有限定竖直方向的第一表面；和布置在第一表面上的源极金属化，在竖直横截面中所述半导体本体进一步包括：‑ 第一传导类型的漂移区域；‑ 第二传导类型的至少两个补偿区域，每个所述补偿区域与所述漂移区域形成pn结并且与所述源极金属化低阻电连接；‑ 第一传导类型的漏极区域，所述漏极区域的最大掺杂浓度高于所述漂移区域的最大掺杂浓度；以及‑ 第一传导类型的第三半导体层，布置在所述漂移区域和所述漏极区域之间并且包括浮动场板和与所述第三半导体层形成pn结的第二传导类型的浮动半导体区域中的至少一个。
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