[实用新型]一种MOS管过流自恢复保护电路有效

专利信息
申请号: 201220152336.6 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN202633918U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 汪军;廖中原 申请(专利权)人: 佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H3/08;H02H3/06
代理公司: 广州广信知识产权代理有限公司 44261 代理人: 张文雄;罗晶
地址: 528300 广东省佛*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种MOS管过流自恢复保护电路,包括驱动电路(1)和保护电路(2),其特征在于:驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成,保护电路(2)由分压电阻R2~R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成;保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端,保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态,通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压,防止MOS管被击穿。本实用新型结构简单、可靠性高、成本低,可自恢复并且不对主电流回路增加负载,应用该电路的机器维修方便,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 mos 恢复 保护 电路
【主权项】:
一种MOS管过流自恢复保护电路,包括驱动电路(1)和保护电路(2),其特征在于:驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成,保护电路(2)由分压电阻R2~R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成;保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端,保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态,通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压,防止MOS管被击穿。
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