[实用新型]一种MOS管过流自恢复保护电路有效
申请号: | 201220152336.6 | 申请日: | 2012-04-11 |
公开(公告)号: | CN202633918U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 汪军;廖中原 | 申请(专利权)人: | 佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H3/08;H02H3/06 |
代理公司: | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人: | 张文雄;罗晶 |
地址: | 528300 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种MOS管过流自恢复保护电路,包括驱动电路(1)和保护电路(2),其特征在于:驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成,保护电路(2)由分压电阻R2~R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成;保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端,保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态,通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压,防止MOS管被击穿。本实用新型结构简单、可靠性高、成本低,可自恢复并且不对主电流回路增加负载,应用该电路的机器维修方便,具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 恢复 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种MOS管过流自恢复保护电路,包括驱动电路(1)和保护电路(2),其特征在于:驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成,保护电路(2)由分压电阻R2~R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成;保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端,保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态,通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压,防止MOS管被击穿。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司,未经佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220152336.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。