[实用新型]一种MOS管过流自恢复保护电路有效

专利信息
申请号: 201220152336.6 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN202633918U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 汪军;廖中原 申请(专利权)人: 佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H3/08;H02H3/06
代理公司: 广州广信知识产权代理有限公司 44261 代理人: 张文雄;罗晶
地址: 528300 广东省佛*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 恢复 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种MOS管过流自恢复保护电路,包括驱动电路(1)和保护电路(2),其特征在于:驱动电路(1)由微控制器IC1、续流二极管D1、MOS管Q2及负载R0连接而成,保护电路(2)由分压电阻R2~R4、开关二极管D2、滤波电容C1及保护三极管Q1连接而成;保护电路(2)的电压检测端连接驱动电路(1)的驱动信号输出端,保护电路(2)通过检测驱动电路的输出电流来判断驱动电路(1)的MOS管的工作状态,通过保护三极管Q1控制MOS管G极电压,防止MOS管被击穿。

2.根据权利要求1所述的一种MOS管过流自恢复保护电路,其特征在于:在所述构成驱动电路(1)中,微控制器IC1的第20脚通过驱动电阻R1与MOS管Q2的G极连接,MOS管Q2的D极与负载R0的一端、续流二极管D1的A极连接;在所述保护电路(2)中,开关二极管D2的A极通过分压电阻R2连接微控制器IC1与驱动电阻R1的连接端,开关二极管D2的K极连接续流二极管D1与MOS管Q2的连接端,保护三极管Q1的B极通过分压电阻R3连接开关二极管D2与分压电阻R2的连接端,保护三极管Q1的C极连接驱动电阻R1与MOS管Q2的连接端,分压电阻R4与滤波电容C1并联后与保护三极管Q1的B极连接。

3.根据权利要求2所述的一种MOS管过流自恢复保护电路,其特征在于:所述负载R0的一端、续流二极管D1的K极外接24V电源。

4.根据权利要求2或3所述的一种MOS管过流自恢复保护电路,其特征在于:所述微控制器IC1的第7脚、分压电阻R4与滤波电容C1并联后的一端、保护三极管Q1的C极和MOS管Q2的S极接地。

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