[实用新型]一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置有效
申请号: | 201220133699.5 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN202495419U | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 左涛涛;徐朝阳;倪图强;周旭升;张亦涛 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置,所述气体传送装置包括上表面和下表面,所述上表面包括一压合区和一气压监测区,所述压合区位于同一平面,与所述气体供应环的下表面接触;所述气体传送装置的下表面包括气体扩散区域,所述气体传送装置的下表面与所述盖板上表面有一结合面,所述盖板上表面的结合面上有一进气孔将反应气体源的气体传送到所述气体扩散区域;所述气压监测区上设置一通气孔,所述通气孔上方连接一压力测量装置,所述通气孔通过一管道和所述反应空间相通。所述装置通过采用一体设置,保证了安装时与上下接触板的接触面无缝隙,从而防止反应气体的泄露,造成污染事故。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 电感 耦合 等离子体 刻蚀 气体 传送 装置 | ||
【主权项】:
一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置,所述等离子体刻蚀室包括反应腔体及由反应腔体围成的反应空间,反应腔体上方从上到下依次设置绝缘窗口,气体供应环及盖板;所述等离子体刻蚀室内设有放置待处理基片的基座,其特征在于:所述气体传送装置包括上表面和下表面,所述上表面包括一压合区和一气压监测区,所述压合区位于同一平面,与所述气体供应环的下表面接触;所述气体传送装置的下表面包括气体扩散区域,所述气体传送装置的下表面与所述盖板上表面有一结合面,所述盖板上表面的结合面上有一进气孔将反应气体源的气体传送到所述气体扩散区域;所述气压监测区上设置一通气孔,所述通气孔上方连接一压力测量装置,所述通气孔通过一管道和所述反应空间相通。
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