[实用新型]一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置有效

专利信息
申请号: 201220133699.5 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN202495419U 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 左涛涛;徐朝阳;倪图强;周旭升;张亦涛 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置,所述气体传送装置包括上表面和下表面,所述上表面包括一压合区和一气压监测区,所述压合区位于同一平面,与所述气体供应环的下表面接触;所述气体传送装置的下表面包括气体扩散区域,所述气体传送装置的下表面与所述盖板上表面有一结合面,所述盖板上表面的结合面上有一进气孔将反应气体源的气体传送到所述气体扩散区域;所述气压监测区上设置一通气孔,所述通气孔上方连接一压力测量装置,所述通气孔通过一管道和所述反应空间相通。所述装置通过采用一体设置,保证了安装时与上下接触板的接触面无缝隙,从而防止反应气体的泄露,造成污染事故。
搜索关键词: 一种 用于 电感 耦合 等离子体 刻蚀 气体 传送 装置
【主权项】:
一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置,所述等离子体刻蚀室包括反应腔体及由反应腔体围成的反应空间,反应腔体上方从上到下依次设置绝缘窗口,气体供应环及盖板;所述等离子体刻蚀室内设有放置待处理基片的基座,其特征在于:所述气体传送装置包括上表面和下表面,所述上表面包括一压合区和一气压监测区,所述压合区位于同一平面,与所述气体供应环的下表面接触;所述气体传送装置的下表面包括气体扩散区域,所述气体传送装置的下表面与所述盖板上表面有一结合面,所述盖板上表面的结合面上有一进气孔将反应气体源的气体传送到所述气体扩散区域;所述气压监测区上设置一通气孔,所述通气孔上方连接一压力测量装置,所述通气孔通过一管道和所述反应空间相通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220133699.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top