[实用新型]一种双面镀膜钝化电池有效
申请号: | 201220085892.6 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN202601625U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 沈华苗 | 申请(专利权)人: | 宁波晶晟新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315450*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双面镀膜钝化电池,包括本体(1),硅片(3),正面电极(4)和背电极(5);所述的本体(1)上两面均镀有一层厚度为60mm氮化硅膜(2)。本实用新型的一种双面镀膜钝化电池可进一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右,使光能的转化效率进一步提高;可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界,减少少子的复合;提高载流子迁移率20%左右,延长少子的寿命,提高了电池的短路电流和开路电压,从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 镀膜 钝化 电池 | ||
【主权项】:
一种双面镀膜钝化电池,其特征在于:包括本体(1),硅片(3),正面电极(4)和背电极(5);所述的本体(1)上两面均镀有一层厚度为60mm氮化硅膜(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的