[实用新型]一种阵列力传感器有效
| 申请号： | 201220063364.0 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN202442829U | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林志娟 | 申请（专利权）人： | 林志娟 |
| 主分类号： | G01L5/00 | 分类号： | G01L5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315040 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 力敏传感器就是探测力的传感器，利用材料的物理性质在力的作用下发生变化的现象而制备。力敏传感器的种类甚多，但都是对于单一均与力的探测，但是，实际应用中，力往往是不均匀分布的。本实用新型提供一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其中，底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且，底电极、顶电极构成交叉结构。力敏材料层可以利用金属的形变效应或半导体材料的压阻效应实现力的探测。本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知力的大小，可以探测出不均匀力的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 传感器 | ||
【主权项】：
一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其特征在于：所述的底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；所述的底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且，底电极、顶电极构成交叉结构。
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