[实用新型]一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器有效
| 申请号： | 201220044150.9 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN202420756U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王徐坚;张曙;郝正宏;姚康;李俊毅 | 申请（专利权）人： | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | G01L19/06 | 分类号： | G01L19/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201109 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器，在硅信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片，充入参比腔充灌液，形成参比腔体，环境气体的压力作为参比压力通过通气管道和参比腔体向硅信号发生器负侧传递；在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片，充入正腔充灌液，形成正侧腔体，测量介质的压力通过正侧腔体向硅信号发生器正侧传递，这种硅传感器的设计方式在有污染气体环境下工作时，有效地隔绝了污染气体对硅信号发生器的污染和氧化，并实现了表压测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环境 气体 污染 测量 传感器 | ||
【主权项】：
一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器，在硅信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片，充入参比腔充灌液，形成参比腔体，同时，通气管道与参比腔体连通；在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片，充入正腔充灌液，形成正侧腔体。
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