[发明专利]磁控溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 201210588533.7 | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103898462B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张春杰 | 申请（专利权）人： | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 习冬梅 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控溅射镀膜装置，包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶，该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置，每一屏蔽装置包括二屏蔽罩，该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧，以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子，避免散射粒子绕镀至工件不需要镀膜的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射镀膜装置，包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶，其特征在于：该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置，每一屏蔽装置包括二屏蔽罩，该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧，以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子，每一屏蔽罩包括一遮挡部、一定位部及连接该遮挡部与定位部的连接部，该遮挡部与定位部分别垂直连接于连接部的相对两端，且遮挡部与定位部分别位于连接部的两侧；每一屏蔽装置的二屏蔽罩通过其定位部固定于真空室体上，使该二屏蔽罩的遮挡部相对设置且与磁控靶平行；该磁控靶为矩形片面靶，每一磁控靶包括一环形的溅射区，该溅射区包括二平行的平行部；每一屏蔽罩的遮挡部位于相对应的磁控靶的上方，且距离相对应的磁控靶的表面为2.5‑3.5cm，每一屏蔽罩的遮挡部靠近另一屏蔽罩的边缘于相对应的磁控靶上的正投影位于一相对应的平行部的二分之一宽度处。
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