[发明专利]场发射阴极装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201210587689.3 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN103903938A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 柳鹏;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J29/04 分类号: H01J29/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种场发射阴极装置,其包括:一绝缘基底;一阴极电极设置于所述绝缘基底的表面;一第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面,该第一绝缘隔离层定义一第一开口;一电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面,且与该阴极电极电连接;一第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面;一第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面,且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露;一第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面,且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方,以将第二开口覆盖。本发明还涉及所述场发射阴极装置的驱动方法。
搜索关键词: 发射 阴极 装置 及其 驱动 方法
【主权项】:
一种场发射阴极装置,其包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面;一阴极电极,该阴极电极设置于所述绝缘基底的表面;一第一绝缘隔离层,该第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面,该第一绝缘隔离层定义一第一开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第一开口暴露;一电子发射层,该电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面,且与该阴极电极电连接;一第一栅极,该第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面;其特征在于,所述场发射阴极装置进一步包括一第二绝缘隔离层和一第二栅网,该第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面,且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露;该第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面,且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方,将第二开口覆盖。
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