[发明专利]一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210582664.4 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103078002A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张为国;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)清洗去除上述阻挡层；(4)制备背极背场、印刷正电极、烧结；即可得到低表面浓度浅扩散结太阳电池。本发明利用现有设备和条件实现了低表面浓度浅扩散结的制备，提高少子扩散长度，改善了少子寿命，最终提高了电池片的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 浓度 扩散 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2) 将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3) 清洗去除上述阻挡层；(4) 制备背极背场、印刷正电极、烧结；即可得到低表面浓度浅扩散结太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
