[发明专利]聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210577647.1 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103012791A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 孙万虹;孟淑娟;臧荣鑫;李海玲;林华典 | 申请（专利权）人： | 西北民族大学 |
| 主分类号： | C08G73/06 | 分类号： | C08G73/06;C08K3/04;C08K3/22;C08L79/04 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730030 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料及其制备方法，属于复合材料技术领域。本发明以乙醇为介质，以聚乙二醇-400为分散剂，以对甲苯磺酸为掺杂剂，FeCl3为引发剂，将石墨烯薄片、纳米氧化镍、吡咯单体在超声条件下聚合，使聚吡咯和氧化镍纳米粒子均匀分布在GNS的表面，并且将GNS完全包覆在内，不但解决了吡咯聚合时的团聚问题，还有效地提高了聚吡咯的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 吡咯 石墨 薄片 氧化 纳米 复合 导电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，是以乙醇为介质，以聚乙二醇‑400为分散剂，以对甲苯磺酸为掺杂剂，三氯化铁为引发剂，将石墨烯薄片、纳米氧化镍、吡咯单体在0~5℃下超声聚合，得到聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米导电复合材料。
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