[发明专利]聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210577647.1 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103012791A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 孙万虹;孟淑娟;臧荣鑫;李海玲;林华典 | 申请（专利权）人： | 西北民族大学 |
| 主分类号： | C08G73/06 | 分类号： | C08G73/06;C08K3/04;C08K3/22;C08L79/04 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730030 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吡咯 石墨 薄片 氧化 纳米 复合 导电 材料 制备 方法 | ||
1.一种聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，是以乙醇为介质，以聚乙二醇-400为分散剂，以对甲苯磺酸为掺杂剂，三氯化铁为引发剂，将石墨烯薄片、纳米氧化镍、吡咯单体在0~5℃下超声聚合，得到聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米导电复合材料。
2.如权利要求1所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，其特征在于：将石墨烯薄片、纳米氧化镍、吡咯单体及聚乙二醇-400超声分散于无水乙醇中；在0~5℃下，向体系中加入对甲苯磺酸，超声分散5~10min；再加入三氯化铁溶液，超声条件下反应2~4h；静置，抽滤，洗涤，干燥，得聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米导电复合材料。
3.如权利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，其特征在于：所述石墨烯薄片、吡咯单体、纳米氧化镍质量比为1: 8: 3 ~1:18:18。
4.如权利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，其特征在于：所述聚乙二醇-400的用量为吡咯单体质量的1~2倍。
5.如权利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，其特征在于：所述对甲苯磺酸的加入量吡咯单体质量的5~20%。
6.如权利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法，其特征在于：所述三氯化铁的量为吡咯单体质量的9~18倍。
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