[发明专利]一种有机无机杂化材料修饰电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201210572318.8 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103033546A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 金万勤;石磊;储震宇;任小明 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;袁正英 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机无机杂化材料修饰电极及其制备方法，该修饰电极由基底电极和有机无机杂化薄膜组成，其中基底电极为贵金属电极，优选金、银、钯或铂；杂化薄膜材料的化学组成为X(en)3Ag2Y4，其中X=Ni、Co、Zn、Cd、Fe或Cu；en为乙二胺；Y=I、Cl或Br，薄膜厚度在500nm-100μm之间。该修饰电极的制备包括以下步骤：对基底电极进行表面预处理；将预处理后的电极浸泡于表面改性溶液中；配制杂化材料母液，并对该母液进行热处理；过滤母液，将修饰后的电极竖直插到滤液中，静置若干时间，得到杂化材料修饰电极。该修饰电极制备过程简便可控，可同时制备多只电极，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 材料 修饰 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机无机杂化材料修饰电极，其特征在于由基底电极和有机无机杂化材料基质薄膜组成，其中所述的基底电极为贵金属电极；所述的有机无机杂化材料基质薄膜的化学组成为X(en)3Ag2Y4，其中X为Ni、Co、Zn、Cd、Fe或Cu；en为乙二胺；Y为I、Cl或Br，薄膜厚度在500nm‑100um之间。
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