[发明专利]聚酰亚胺钝化膜钝化制备工艺无效
| 申请号： | 201210566860.2 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103207520A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 邱月瓴;苏洁梅;刘期斌;刘从吉;周小燕;刘小会;王鸥;胡卫英 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/26;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出的一种聚酰亚胺钝化膜制备工艺，旨在提供一种工艺可靠，返工几率低，合格率高，易于实现的硅基光电探测器芯片表面钝化膜的制备工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现：在曝光和显影工序步骤之间增加显影前检查、补正胶步骤，及时对曝光后的光刻胶进行检查，对钝化区域内正胶破损的芯片，用正胶覆盖针孔和破损处，然后放入85℃的烘箱烘10min后进入下步工艺。本发明在显影前增加了一步“镜检、补正胶”工艺，虽然光刻工艺的操作步骤增多了，但是工艺质量得到很好的控制，有效消除了产生的工艺针孔，使PI-5钝化膜制作工艺一次性合格率大幅提高，减少了返工的数量，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 钝化 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种聚酰亚胺钝化膜制备工艺，其特征在于包括如下步骤: 在曝光和显影工序步骤之间增加显影前镜检检查、补正胶步骤，及时对曝光后的光刻胶进行检查，对钝化区域内正胶破损的芯片，用正胶覆盖针孔和破损处，然后放入85℃的烘箱烘10min后进入下步工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南技术物理研究所，未经西南技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210566860.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
