[发明专利]一种基于频域介电谱的高压套管绝缘检测方法

摘要

本发明涉及高电压设备绝缘检测技术领域，具体涉及一种基于频域介电谱的高压套管绝缘检测方法，该方法采用基于频域介电谱试验对套管的绝缘进行检测。通过本发明，避免了Garton效应对低电压下tanδ测量的影响，获取了套管在0.001Hz-1000Hz范围低电压下的真实tanδ频率曲线并用来判断套管的绝缘状态，相比传统采用套管单一50Hz频率点的tanδ判断套管绝缘状态，提高了判断的准确性。本发明的试验和测量装置结构简单、容易实现，避免了采用高电压下进行0.001Hz-1000Hz范围tanδ测量其试验装置难以实现的难题。

主权项

一种基于频域介电谱的高压套管绝缘检测方法,其特征在于：其包括以下步骤：步骤一：将变频电源连接到被试套管的高压端，断开串联谐振升压装置与被试套管的高压端的连接线，将标准电压互感器连接至被试套管的高压端检测电压信号，将电流检测模块连接被试套管的末屏端子，控制变频电源输出频率在0.001Hz‑1000Hz范围，幅值100V的电压，通过测量电压和电流信号的相位差，从而检测出0.001Hz‑1000Hz范围100V电压的套管介质损耗因数（tanδ）的频率曲线；步骤二：将串联谐振升压装置与被试套管的高压端连接，断开变频电源与被试套管的高压端的连接线，将标准电压互感器连接至被试套管的高压端检测电压信号，将电流检测模块连接被试套管的末屏端子，通过调整串联谐振升压装置的电压频率和幅值，获取40Hz‑300Hz范围内不少于5个频率点，且电压为套管额定电压的套管介质损耗因数tanδ；步骤三：将40Hz‑300Hz范围额定电压下测量的5个频率点的套管介质损耗因数（tanδ）与0.001Hz‑1000Hz范围100V电压的套管介质损耗因数（tanδ）频率曲线进行比对，若5个测量点的tanδ与0.001Hz‑1000Hz范围测量的tanδ频率曲线在相同频率点上的介质损耗因数的偏差都<5%，即认为低电压下0.001Hz‑1000Hz范围测量的套管介质损耗因数未受Garton效应的影响，0.001Hz‑1000Hz范围低电压下测量的tanδ值测量值有效，可通过该组0.001Hz‑1000Hz的tanδ频率曲线判断套管的绝缘状态；步骤四：若5个测量点的tanδ与0.001Hz‑1000Hz范围测量的tanδ在相同频率点上的介质损耗因数的偏差都>5%，即认为低电压下0.001Hz‑1000Hz范围测量的套管介质损耗因数受到了Garton效应的影响，该组数据无效；步骤五：由于放置时间较长的套管容易出现Garton效应，由于Garton效应的影响，一般低电压下tanδ大于高电压下tanδ；在此情况下，通过串联谐振升压装置给套管持续施加额定电压一个小时后测量某个频率点的tanδ1，然后降压到100V观测相同频率点的tanδ2值；步骤六：由于电场作用，在套管施加额定电压时，其内部杂质、水分附着在套管电容屏表面、瓷套内壁，介质空间的杂质相对减少，极化损耗相对比较小，可使介质损耗降低。如 果tanδ2与tanδ1的偏差<5%，则认为套管Garton效应影响较小，应立即采用变频电源进行100V电压下的试验，获取套管在0.001Hz‑1000Hz范围的tanδ频率曲线判断套管的绝缘状态；步骤七：如果tanδ2与tanδ1的偏差>5%，则认为套管受Garton效应的影响较大，可重复步骤五，直至tanδ2与tanδ1的偏差<5%后进行步骤六，获取获取套管在0.001Hz‑1000Hz范围的tanδ频率曲线判断套管的绝缘状态。