[发明专利]形成低电阻线的方法和使用该方法制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201210553758.9 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681284B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 权五楠;金海烈 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供形成低电阻线的方法和使用该方法制造薄膜晶体管的方法。形成线的方法包括在基底层上沉积金属层；通过去除所述金属层的一部分来暴露所述基底层的一部分；通过采用所述金属层作为掩模来去除所述基底层的暴露部分，在所述基底层中形成凹槽；在所述基底层的凹槽中形成籽晶层；和通过化学镀方式或电镀方式，在所述基底层的凹槽中形成的籽晶层上镀上镀层材料，以形成由所述籽晶层和镀层构成的线。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电阻 方法 使用 制造 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成线的方法，该方法包括：在基底层上顺序地涂覆有机绝缘膜和金属层；通过去除所述金属层的一部分暴露所述有机绝缘膜的一部分；通过使用所述金属层作为掩模来去除所述有机绝缘膜的暴露部分，在所述有机绝缘膜中形成凹槽；在所述有机绝缘膜的凹槽中形成籽晶层；和通过化学镀方式或电镀方式，在所述有机绝缘膜的凹槽中形成的籽晶层上镀上镀层材料，以形成由所述籽晶层和镀层构成的线，其中，所述基底层在形成栅极布线时由从硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)和磷硅酸盐玻璃(PSG)中选择的玻璃材料或塑料材料形成，或者在形成数据布线时由从硅氧化物膜和硅氮化物膜中选择的无机绝缘膜形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司，未经乐金显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210553758.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
