[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 201210553753.6 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681892A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林志清;詹永平;徐维骏;王晨昀 | 申请（专利权）人： | 台积太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其形成方法。所述太阳能电池包括底电极层，半导体光吸收层，以及TCO顶电极层。在一种实施方式中，TCO种子层形成在所述顶电极和吸收层之间以改进顶电极至吸收层的粘合力。在一种实施方式中，所述种子层以比形成TCO顶电极层的温度低的温度形成并且具有不同微观结构。本发明还公开了太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池，包括：形成在衬底上的底电极层；形成在所述底电极层上的半导体吸收层；形成在所述吸收层上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的透明导电氧化物(TCO)种子层；以及形成在所述TCO种子层上的块状TCO顶电极层，所述块状TCO顶电极层通过限定延伸穿过所述缓冲层和所述吸收层的垂直通道的P2划线电连接至所述底电极层；其中，所述TCO种子层具有与所述块状TCO顶电极层不同的微观结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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