[发明专利]制作基于微针阵列皮肤干电极的方法无效
| 申请号： | 201210549791.4 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102988039A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 裴为华;陈远方;归强;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | A61B5/04 | 分类号： | A61B5/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作基于微针阵列皮肤干电极的方法，该方法包括如下步骤：A、选择一硅片；B、将硅片的两面热氧化一层二氧化硅层；C、对硅片在X方向和Y方向分别形成周期性的一预定深度的垂直的划槽，形成二维方柱阵列；D、用硅的各向同性腐蚀液对划片后的硅片进行静态腐蚀，将二维方柱阵列变细变尖；E、用氢氟酸或HF缓冲液将硅片表面的二氧化硅层腐蚀干净，形成电极柱阵列；F、采用磁控溅射的方法，在电极柱阵列表面及背面溅射金属，完成制作。本发明可以批量的低成本的制作基于微针阵列的皮肤干电极阵列，用于脑电、心电、肌电等生理信号检测，满足科研和临床需求。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 基于 阵列 皮肤 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种制作基于微针阵列皮肤干电极的方法，该方法利用通用的砂轮划片设备，在单晶硅片上划槽，形成根部仍与硅片相连的二维硅方柱阵列，继而利用各向同性腐蚀的方法，将方柱阵列腐蚀成尖端细，根部粗的四棱微锥阵列，该方法包括如下步骤：A、选择一硅片；B、将硅片的两面热氧化一层二氧化硅层；C、对硅片在X方向和Y方向分别形成周期性的一预定深度的垂直的划槽，形成二维方柱阵列；D、用硅的各向同性腐蚀液对划片后的硅片进行静态腐蚀，将二维方柱阵列变细变尖；E、用氢氟酸或HF缓冲液将硅片表面的二氧化硅层腐蚀干净，形成电极柱阵列；F、采用磁控溅射的方法，在电极柱阵列表面及背面溅射金属，完成制作。
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