[发明专利]适用于低噪声放大器的偏置电路

摘要

本发明公开了一种适用于低噪声放大器的偏置电路，该偏置电路与低噪声放大器中的共源NMOS管和共栅NMOS管上的栅极外接的两个管脚相连接，其特征在于，所述偏置电路包括：12个MOS管401～406、410～415，8个电阻416～423和3个二极管407～409连接组合而成。本发明具有使能控制功能，能够提供两种模式的输出偏置：第一种，在低噪声放大器的工作模式中提供偏置，实现温度补偿和超宽范围的电压补偿，即保证低噪声放大器的噪声系数、增益不随温度和电源电压波动。第二种，在低噪声放大器的空闲模式提供另一种偏置，实现可靠性补偿，防止晶体管击穿。本发明还能够大大降低电路的复杂度，减小芯片面积和成本。

主权项

一种适用于低噪声放大器的偏置电路，该偏置电路与低噪声放大器中的共源NMOS管和共栅NMOS管上的栅极外接的两个管脚相连接，其特征在于，所述偏置电路包括：12个MOS管401~406、410~415，8个电阻416~423和3个二极管407~409连接组合而成；其中，所述12个MOS管包括：8个厚栅氧的MOS管401~406、410、415和4个薄栅氧的MOS管411、412、413、414；所述厚栅氧的MOS管401、403、404、405、415的栅极连接到同一个第一控制电位上；所述厚栅氧的MOS管402的栅极和厚栅氧的MOS管410连接到第二控制电位上；所述厚栅氧的MOS管401~405的源极均连接到电源上，所述厚栅氧的MOS管401的漏极连接到电阻416的一端；所述厚栅氧的MOS管403的漏极连接到电阻419的一端；所述厚栅氧的MOS管404的漏极连接到电阻420的一端；所述厚栅氧的MOS管402的漏极连接到厚栅氧的MOS管406的源极；所述厚栅氧的MOS管406的栅极连接到其漏极上并与所述薄栅氧的MOS管413的栅极相连；所述厚栅氧的MOS管405的漏极与薄栅氧的MOS管413的漏极相连；所述薄栅氧的MOS管413的源极与薄栅氧的MOS管414的漏极相连；所述薄栅氧的MOS管414的源极同时与所述电阻423的一端、厚栅氧的MOS管415的漏极以及第一管脚Vg1相连接，该薄栅氧的MOS管414的栅极同时与电阻421的一端和薄栅氧的MOS管411的漏极相连；所述薄栅氧的MOS管412的源极同时与电阻422的一端和薄栅氧的MOS管411的栅极相连接，该薄栅氧的MOS管412的漏极与电阻420的另一端相连，该薄栅氧的MOS管412的栅极同时与电阻419和电阻421的另一端相连；所述薄栅氧的MOS管411的源极、电阻422的另一端、电阻423的另一端、厚栅氧的MOS管415的源极、厚栅氧的MOS管410的源极以及二极管409的负极均与地相连；所述二极管407~409依次正负极堆叠相连，该二极管407的正极与所述电阻416的另一端相连；所述厚栅氧的MOS管410的漏极与电阻418的一端相连；所述电阻418的另一端同时与所述电阻417的一端和第二管脚Vg2相连；所述电阻417另一端与所述薄栅氧的MOS管413的栅极相连。