[发明专利]宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法

摘要

类矩形全息光栅的等离子体刻蚀方法，涉及光谱技术领域，解决现有对全息光栅的刻蚀过程中引起侧壁及槽底粗糙度高的问题，本发明包括多个交替进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤、一个钝化沉积步骤和一个抛光步骤。刻蚀步骤所采用的第一工艺条件、钝化沉积步骤所采用的第二工艺条件、抛光步骤第三工艺条件之间以时间间隔彼此分开，间隔时间大于前序步骤中反应气体等离子体寿命。使用该发明的等离子体刻蚀方法获得的类矩形全息光栅侧壁及槽底具有良好的光滑度，其杂散光强度低。

主权项

宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法，其特征是，该刻蚀方法包括以下步骤：步骤一、将光栅基片（5）放置在回转工作台（6）上；所述回转工作台（6）绕回转轴（7）旋转，光栅基片（5）刻线所在的平面与刻线方向（4）平行于回转轴（7）；步骤二、在光栅基片（5）上放置挡板（3），调整狭缝的宽度，所述狭缝宽度为a=W/3，W为光栅基片（5）的宽度； 步骤三、调整离子束方向（1）与光栅基片（5）表面成φ角（2），选取Ar气体2~6sccm，CHF3气体0.5~1.5sccm，离子能量400eV，实现对光栅基片（5）第一区域（a）的刻蚀，形成闪耀角β1；步骤四、平移挡板（3）至光栅基片（5）的下一位置，选取Ar气体6~9sccm，CHF3气体1.5~2.5sccm，离子能量400eV，实现对光栅基片（5）第二区域（b）的刻蚀，形成闪耀角β2；步骤五、继续平移挡板（3），选取Ar气体9~14sccm、CHF3气体2.5~4.5sccm，离子能量400eV，实现对光栅基片（5）第三区域（c）的刻蚀，形成闪耀角β3 ，实现对光栅基片（5）的刻蚀；所述的步骤四与步骤五中平移挡板（3）的距离与狭缝的宽度相同。