[发明专利]一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法

摘要

本发明提供一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法，先提供包括透明基底、相移层及遮光层相移掩膜及光刻材料，于所述遮光层中形成多个不同宽度的曝光窗口，并采用预设能量的光通过各该曝光窗口对所述光刻材料依次进行第一次曝光及第二次曝光形成二次曝光图形；然后通过对所述二次曝光图形的检测确定在预设能量的光下相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围。本发明可以通过一种简便的方法确定相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围，为光刻过程提供了有效的依据，可以提高成品的良率。本发明步骤简单，功效显著，适用于工业检测。

主权项

一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供包括透明基底、相移层及遮光层的相移掩膜及光刻材料，于所述遮光层中形成多个不同宽度的曝光窗口，并采用预设能量的光通过各该曝光窗口对所述光刻材料依次进行第一次曝光及第二次曝光形成二次曝光图形，第一次曝光与第二次曝光的区域严格一致；2)通过对所述二次曝光图形的检测确定在预设能量的光下相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围。