[发明专利]高温超导涂层导体基底平坦化方法

摘要

高温超导涂层导体基底平坦化方法，属于高温超导材料制备技术领域。本发明包括下述步骤：（1）无水前驱液制备：将硅源与溶剂按预定比例完全溶解混合均匀，加入甲醇，加热搅拌，低压蒸馏除水；定容，形成无水前驱溶液；（2）涂覆第一前驱溶液滴在基片表面，旋涂，退火；（3）均匀涂覆第二前驱溶液的液膜于基片上，旋涂，退火，使薄膜表面均方根粗糙度小于2nm。本发明所制备的非晶层薄膜不仅可以起到平整基片的作用，还可以在高温超导涂层导体结构中起着阻隔扩散的作用。

主权项

高温超导涂层导体基底平坦化方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）无水前驱液制备：将硅源与溶剂按预定比例完全溶解混合均匀，加入溶剂体积1/3~1/2的甲醇，并加热至40~50℃搅拌，低压蒸馏除水；然后停止低压蒸馏和加热，仅搅拌；最后通过加入溶剂进行定容，形成第一前驱溶液，第一前驱溶液的Si离子摩尔浓度为0.2‑0.8mol/l；通过加入溶剂稀释第一前驱溶液，得到第二前驱溶液，其Si离子摩尔浓度为0.02‑0.2mol/l；所述硅源为正硅酸乙酯或正硅酸丙酯，所述溶剂为异丙醇，或乙醇，或乙醚；（2）旋涂：将第一前驱溶液滴在基片表面，涂覆一层均匀液膜于基片上；退火：将涂覆有液膜的基片从室温以2~10℃/min的速率升温至450~550℃烧结，保温10~30min，气氛为空气，然后自然降温至室温，得到单层氧化物非晶薄膜；反复重复旋涂和退火工艺，直到薄膜表面均方根粗糙度小于5nm大于2nm，得到多层非晶薄膜；（3）旋涂：均匀涂覆一层第二前驱溶液的液膜于基片上；退火：从室温以2~10℃/min的速率升温至450~550℃烧结，保温10~30min，气氛为空气，然后自然降温至室温，得到单层氧化物非晶薄膜；反复重复旋涂和退火，使薄膜表面均方根粗糙度小于2nm。