[发明专利]光罩及其设计方法有效
申请号: | 201210529178.6 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN103869604B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 曹存朋;朱晓峥 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48;G03F7/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 牛峥,王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光罩及其设计方法,所述光罩包括形成光罩图案的透光部分和不透光部分,所述透光部分设有相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域,且所述衍射光栅结构区域的光栅条纹平行于与之相邻的不透光部分的边缘。本发明的光罩,由于在所述光罩中透光部分中,设计了相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域,进而使得该区域对polyimide薄膜曝光的能量值发生了变化,从而改变了曝光之后的polyimide薄膜的形貌,并最终在加热固化处理之后,能够获得没有翘起的polyimide薄膜,解决了随后的IC电路的封装过程中,翘起对填充焊球的不利影响。 | ||
搜索关键词: | 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种光罩,包括形成光罩图案的透光部分和不透光部分,其特征在于:所述透光部分设有相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域,且所述衍射光栅结构区域的光栅条纹平行于与之相邻的不透光部分的边缘;其中,所述衍射光栅结构区域的光栅常数为:d=C·3X+140]]>其中,X为所述衍射光栅结构区域中到所述不透光部分边缘的垂直距离,C为利用所述光罩曝光时与入射光波长相关的常数,d为光栅常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210529178.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备