[发明专利]多晶硅锭及其铸造方法有效
| 申请号： | 201210528557.3 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102965727A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 潘家明;何广川;魏景拓 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭及其铸造方法，应用于仅具有顶部加热器且散热台底部周边设置有保温底板的铸锭炉，包括：将硅料装载在坩埚内，加热硅料至熔融状态；降低多晶硅铸锭炉顶部加热器的功率，同时逐步打开百叶至25°-35°角，将熔融状态的硅液表面温度降至1400℃-1450℃，使底部硅液开始准备结晶；百叶继续逐步打开至最大开度90°角，保持稳定的硅液结晶速率，其中，百叶的打开速率小于第二步骤中百叶的打开速率，且逐渐变小；维持百叶最大开度，直至结晶完成。本发明通过改变多晶硅定向长晶的工艺，解决了硅锭四周杂质分散分布的问题，提高了多晶硅锭的性能，制备出了质量好、出片率高的多晶硅锭，提高了硅料的利用率，降低了硅锭的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 铸造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭铸造方法，应用于仅具有顶部加热器的铸锭炉，其特征在于，该铸锭炉包括隔热层、位于百叶窗下方的水冷铜盘、位于隔热层内部的坩埚、设置在坩埚底部的散热台、以及设置于所述散热台底部周边且位于隔热层内部的保温底板，该保温底板直接与所述散热台底部接触；其中，所述隔热层的底部具有包括多个百叶的百叶窗，每个百叶均可张开至90°角；该方法包括：A、将硅料装载在坩埚内，加热硅料至熔融状态；B、降低多晶硅铸锭炉顶部加热器的功率，同时逐步打开百叶至25°‑35°角，将熔融状态的硅液表面温度降至1400℃‑1450℃，使底部硅液开始准备结晶；C、百叶继续逐步打开至最大开度90°角，保持稳定的硅液结晶速率，其中，百叶的打开速率小于步骤B中百叶的打开速率，且逐渐变小；D、维持百叶最大开度，直至结晶完成。
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