[发明专利]一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210527903.6 申请日: 2012-12-10
公开(公告)号: CN103045926A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 杨滨;卢毅;张磊;王西涛 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C22C29/18 分类号: C22C29/18;C22C1/02
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种TiB2/Si-Al复合材料的制备方法,属于电子封装材料制备技术领域。工艺过程包括配制混合盐、熔炼(60~70)wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/Si-Al复合材料和TiB2/Si-Al复合材料热等静压五个阶段。本发明在不影响Si-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下,有效地细化初晶硅尺寸并解决了其在Si-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。
搜索关键词: 一种 tib sub si al 电子 封装 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种TiB2/Si‑Al电子封装复合材料,其特征在于:该复合材料的化学组成以重量百分比计为xTiB2/ySi‑Al,其中1.0≤x≤2.0,60≤y≤70。
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