[发明专利]一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法

权利要求书

1.一种TiB₂/Si-Al电子封装复合材料，其特征在于：该复合材料的化学组成以重量百分比计为xTiB₂/ySi-Al，其中1.0≤x≤2.0,60≤y≤70。

2.根据权利要求1所述的一种TiB₂/Si-Al电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：工艺过程包括配制混合盐、熔炼（60~70）wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB₂颗粒、喷射沉积成形TiB₂/Si-Al复合材料和TiB₂/Si-Al复合材料热等静压五个阶段；具体制备步骤为：

a、配制混合盐：按原子计量比Ti：B=1：2.2配比K₂TiF₆和KBF₄混合盐，混匀并经300℃烘干；

b、熔炼（60~70）wt%Si-Al合金：将占（60~70）wt%的纯Si，其余为工业纯Al的原材料放入中频感应电炉中升温熔化；

c、熔铸-原位合成TiB₂颗粒：将步骤b所述（60~70）wt%Si-Al合金熔体加热至熔点以上50～150℃保温5-15分钟使其均匀化；然后，迅速加入0.8--2.5%步骤a所述的K₂TiF₆和KBF₄混合盐，用石墨搅拌器充分搅拌5～15分钟后再保温15分钟，扒除表面残渣；

d、喷射沉积成形TiB₂/Si-Al复合材料：利用喷射沉积成形技术制备TiB₂/Si-Al复合材料，喷射成形工艺参数选择如下：雾化气体：氮气或氩气，纯度分别为：99.8和99.9%；雾化压力：0.6～0.8MPa；沉积距离：610～650mm；导流管直径：4.0～4.3mm；

e、TiB₂/Si-Al复合材料热等静压：喷射成形TiB₂/Si-Al复合材料的致密化在QIH-15型热等静压试验机上进行；热等静压工艺参数选择如下：压强150～170MPa，温度580～620℃，保压4h，工作介质为氩气。

3.根据权利要求2所述的所述的一种TiB₂/Si-Al电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：所述K₂TiF₆和KBF₄的纯度均高于97wt%；纯Si和工业纯Al均为块状物，纯度分别为98wt%和99.7wt%，块度为4～6mm。