[发明专利]一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法有效
| 申请号： | 201210524763.7 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102969245A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 陈芳林;刘可安;唐龙谷;张弦;雷云 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT阴极和FRD阴极进行N+预沉积；S104：在隔离区的上表面和GCT的门极区域刻蚀隔离沟槽；S105：在GCT阴极和FRD阴极进行N+推进、钝化；S106：在GCT阳极进行P+掺杂；S107：制作电极。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 集成 换流 晶闸管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S100：在原始N‑衬底（6）的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区（5）和FRD的P型基区（10）；S102：在N‑衬底（6）的另一面进行N′杂质掺杂处理；S103：在GCT阴极和FRD阴极进行N+预沉积处理；S105：在GCT阴极和FRD阴极进行N+推进、钝化处理；S106：在GCT阳极进行P+掺杂处理；S107：制作电极，形成GCT（1）、FRD（2），以及GCT（1）和FRD（2）之间设置隔离区（3）的逆导型集成门极换流晶闸管结构；其中，GCT（1）为GCT的阴极N+掺杂区（4）、GCT的P型基区（5）、N‑衬底（6）、N′缓冲层（7）和GCT的P+阳极区（8）依次排列的结构；FRD（2）为FRD的P型基区（10）、N‑衬底（6）、N′缓冲层（7）和FRD的N+阴极区（11）依次排列的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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