[发明专利]配线形成方法、配线形成用蚀刻液有效
| 申请号： | 201210524348.1 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103173226A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 齐藤知志;出口友香里;佐藤未菜;石田辉和 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法、配线形成用蚀刻液。在本发明的制造方法中，通过实施使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有上述导体图案的部分进行接触，蚀刻上述部分的金属氧化物层的蚀刻工序，从而形成含有经图案化的金属氧化物层和上述铜层的配线。上述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟和镓中的一种以上的金属的氧化物。上述蚀刻液是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 线形 成方 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种配线形成方法，通过实施使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有所述导体图案的部分进行接触，蚀刻所述部分的金属氧化物层的蚀刻工序，从而形成含有经图案化的金属氧化物层和所述铜层的配线，其中，所述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟以及镓中的一种以上的金属的氧化物，所述蚀刻液是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。
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