[发明专利]配线形成方法、配线形成用蚀刻液

说明书

技术领域

本发明涉及形成含有铜层和金属氧化物层的配线的配线形成方法以及配线形成用蚀刻液。

背景技术

被用于电子设备的触摸屏式显示装置等具有显示区域和该显示区域周围的框缘区域。上述框缘区域中形成有为了与检测触摸位置的电路连接而从显示区域引出的多条配线。

作为形成上述框缘区域的配线的方法，例如有在JP2008-77332A公报中所公开的那样在由金属氧化物等构成的电极层的上面涂布银浆而形成配线的方法。然而，近年来，为了与像智能手机、平板终端等这样小型且要求高性能的终端的显示装置相应，要求降低配线材料的电阻值。所以，正在探讨将电阻比上述银浆低的铜用于配线材料。

作为将铜用作配线材料时的形成配线的方法，进行如下方法：在电极层上形成铜配线，然后将在铜配线间露出的构成上述电极层的金属氧化物通过蚀刻除去。上述电极层是含有氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）等金属氧化物的层，可使用盐酸等进行蚀刻。

然而，在上述那样地将铜用作配线材料时，若用盐酸蚀刻上述金属氧化物，则存在使铜腐蚀的可能，难以选择性地蚀刻上述金属氧化物。

在上述那样的小型显示装置中，尤其要求使框缘区域变窄，框缘区域的配线宽度也被要求宽度变窄。在这种宽度狭窄的配线中，更难以在不使铜层腐蚀的条件下选择性地蚀刻在狭窄的部分露出的上述金属氧化物。

发明内容

本发明是鉴于如上所述的现有技术的问题点而作出的，其提供一种能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法以及配线形成用蚀刻液。

在本发明的配线形成方法中，实施如下蚀刻工序：使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有上述导体图案的部分进行接触，蚀刻上述部分的金属氧化物层。通过该蚀刻工序，形成含有经图案化的金属氧化物层和上述铜层的配线。

上述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟以及镓中的一种以上的金属的氧化物，

上述蚀刻液为含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。

根据本发明，因使用上述特定的蚀刻液，所以能够在抑制上述含铜层的导体图案的腐蚀的同时选择性地蚀刻未层叠有上述导体图案的部分的金属氧化物层。

应予说明，本发明中的“铜层”可以是仅由铜构成的层，也可以是由含铜和其它金属的铜合金构成的层。

作为本发明的一个方式，上述金属的氧化物（以下，也称为金属氧化物）可以为结晶物质。金属氧化物为结晶物质时，在使用以往的蚀刻液时，铜比金属氧化物更容易被蚀刻，因此尤其难以选择性地蚀刻金属氧化物层。根据本发明，即使上述金属氧化物为结晶物质，也能够选择性地蚀刻金属氧化物层。

作为本发明的其它方式，就上述蚀刻液而言，上述硫羰基化合物的浓度可以为0.05质量％~50质量％。在硫羰基化合物的浓度为上述范围时，上述金属氧化物的选择蚀刻性具有提高的倾向。

作为本发明的另一个方式，就上述蚀刻液而言，上述卤化物离子的浓度可以为1质量％~35质量％。在卤化物离子的浓度为上述范围时，上述金属氧化物的蚀刻性具有提高的倾向。尤其是，上述金属氧化物为结晶性时，上述卤化物离子的浓度优选为20质量％以上。

作为本发明的另一个方式，上述导体图案可以进一步含有设于上述铜层的与上述金属氧化物层侧相反侧的面的盖金属（キャップメタル）层，上述盖金属层含有选自铝、钛、铬、钴、镍、锌、钼、银、以及这些金属与铜的合金中的1种以上的金属。

导体图案含有盖金属层时，在现有技术中，由于在盖金属层与铜层之间产生电位差而使腐蚀进行的所谓的“电蚀”，导致进行导体图案的腐蚀，难以选择性地蚀刻金属氧化物层。与此相对，根据本发明的蚀刻方法，即使导体图案含有盖金属层，也能选择性地蚀刻金属氧化物层。

应予说明，本发明中的盖金属层的金属是指选自铝、钛、铬、钴、镍、锌、钼、银、以及这些金属与铜的合金中的1种以上，材质与上述铜层不同的金属。

在上述本发明的配线形成方法中，本发明的配线形成用蚀刻液用于未层叠有上述导体图案的部分的金属氧化物层的蚀刻，是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。

根据本发明，可提供能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法以及配线形成用蚀刻液。

附图说明

图1：（a）是表示在实施例中使用的样品基材的示意性截面图，（b）是表示在实施例中进行了蚀刻处理的样品基材的示意性截面图。

图2：表示实施例的表面的SEM照片的图。

符号说明