[发明专利]集成电路以及用于集成电路的方法有效
| 申请号： | 201210518334.9 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103856209A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙俊岳;陈利杰 | 申请（专利权）人： | 艾尔瓦特集成电路科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 300457 天津市塘沽区经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式公开了一种集成电路和用于集成电路的方法。该集成电路包括第一电压域和第二电压域，其中第二电压域中的MOS晶体管可操作来与第一电压域连接，MOS晶体管的衬底连接于第二电压域的内部电源。该集成电路还包括模拟多路复用电路，该模拟多路复用电路包括第一输入端、第二输入端和输出端，其中第一输入端耦合至第一电压域，第二输入端接地，输出端耦合至MOS晶体管。该模拟多路复用电路可操作来响应于第二电压域的内部电源已经建立就绪，从输出端输出来自第一输入端的信号；以及响应于所述第二电压域的内部电源尚未建立就绪，从输出端输出来自第二输入端的信号。本发明的实施方式避免了在第二电压域中出现漏电流，从而提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 用于 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括第一电压域和第二电压域，其中所述第二电压域中的MOS晶体管可操作来与所述第一电压域连接，并且所述MOS晶体管的衬底连接于所述第二电压域的内部电源；所述集成电路还包括：模拟多路复用电路，其包括第一输入端、第二输入端和输出端，其中所述第一输入端耦合至所述第一电压域，所述第二输入端接地，所述输出端耦合至所述MOS晶体管，并且其中所述模拟多路复用电路可操作来：响应于所述第二电压域的所述内部电源已经建立就绪，从所述输出端输出来自所述第一输入端的信号；以及响应于所述第二电压域的所述内部电源尚未建立就绪，从所述输出端输出来自所述第二输入端的信号。
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