[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210513725.1 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855019B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;张彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供绝缘体上硅晶片；在所述绝缘体上硅晶片中的硅层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，形成多个彼此隔离的核心材料层；形成图案化的光刻胶层，使所述光刻胶层只覆盖部分所述核心材料层；执行氟处理过程，以增大未被所述光刻胶层所覆盖的核心材料层相对于被所述光刻胶层所覆盖的核心材料层的氧化物成长选择比；去除所述光刻胶层，形成环绕所述核心材料层的氧化物层；蚀刻所述氧化物层，以在所述核心材料层的两侧形成侧壁；去除所述核心材料层；蚀刻所述硅层，以形成FinFET的Fin；去除所述侧壁。根据本发明，在与现有工艺相兼容的前提下，使形成的FinFET具有不同宽度的Fin，以满足实现不同功能的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片包括硅基体、掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的硅层；在所述硅层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，以形成多个彼此隔离的核心材料层；在所述硅层上形成图案化的光刻胶层，使所述光刻胶层只覆盖部分所述核心材料层；以所述光刻胶层为掩膜，执行一氟处理过程，以增大未被所述光刻胶层所覆盖的核心材料层相对于被所述光刻胶层所覆盖的核心材料层的氧化物成长选择比；去除所述光刻胶层，形成环绕所述核心材料层的氧化物层；蚀刻所述氧化物层，以在所述核心材料层的两侧形成侧壁；去除所述核心材料层；以所述侧壁为掩膜蚀刻所述硅层，以形成鳍式场效应晶体管的鳍，所述鳍具有不同的宽度；去除所述侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
