[发明专利]一种立方氮化硼聚晶(PcBN)复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210497107.2 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN103030397A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 王明智;徐帅;赵玉成;乔丽娜;邹芹 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: C04B35/5831 分类号: C04B35/5831;C04B35/5835;C04B35/63;C04B35/622
代理公司: 石家庄一诚知识产权事务所 13116 代理人: 续京沙
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种立方氮化硼聚晶(PcBN)复合材料的制备方法,以非化学计量比的氮化钛(TiNX,0.3≤X≤0.6)作为立方氮化硼聚晶复合材料中结合剂的基本组份,与氮化铝(AlN)、碳化钛(TiC)中的一种或二种组成结合剂的组份,与立方氮化硼单晶(cBN)通过高温高压烧结制备出立方氮化硼聚晶(PcN)复合材料,其中采用压力4-6.5GPa,并加热至1400-1650℃,在此压力、温度下保持1-25分钟。其优点是:通过采用立方氮化硼单晶与非化学计量比氮化钛(TiNX,0.3≤X≤0.6)为主的结合剂制备立方氮化硼聚晶复合材料,聚晶中不存在单质元素或合金相,避免了软点的存在,获得的立方氮化硼聚晶复合材料(PcBN)硬度达到38-55GPa,断裂韧性达3.31-4.12MPa·m1/2。
搜索关键词: 一种 立方 氮化 硼聚晶 pcbn 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种立方氮化硼聚晶(PcBN)复合材料的制备方法,其特征是:以立方氮化硼单晶(cBN)和结合剂为原料,立方氮化硼单晶(cBN)在立方氮化硼聚晶复合材料中的质量百分比为60‑95%,结合剂在立方氮化硼聚晶复合材料中的质量百分比为5‑40%,其中:结合剂是由非化学计量比氮化钛(TiNX,0.3≤X≤0.6)与氮化铝(AlN)、碳化钛(TiC)中的一种或二种组成,结合剂中非化学计量比氮化钛(TiNX,0.3≤X≤0.6)与氮化铝(AlN)、碳化钛(TiC)的质量百分比分别为70‑85%、5‑30%、0‑15%;按以下步骤制备:①.立方氮化硼单晶与结合剂按比例混合;②.将混合好的物料装入模具中,在液压机上冷压制成压坯,压力为60‑100MPa;③.将步骤②获得的压坯装入碳管炉中,并与传压介质组装,形成组装块;④.将步骤③获得的组装块置于高压压机的顶砧之间,开动压机,使组装块获得4‑6.5GPa压力,并加热至1400‑1650℃,在此压力、温度下保持1‑25分钟;⑤.完成后卸除压力并冷却至60℃以下,取出组装块,清除杂物,获得立方氮化硼聚晶复合材料。
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