[发明专利]一种超级结深沟槽填充工艺方法

摘要

本发明公开了一种超级结深沟槽填充工艺方法，首先利用外延填充至芯片拐角处空洞将要封口时为止，此时利用一次光刻，将终端区沟槽以外的区域用光刻胶遮挡，然后利用干法刻蚀，将终端区沟槽封口变大，降低缝隙的深宽比，随后去除光刻胶，最后利用掺杂多晶硅填充工艺，将终端沟槽完全填充，并用CMP或者干法刻蚀的方法将表面多晶硅去除，或者也可以使用非掺杂多晶硅填充工艺，将终端沟槽完全填充，并用CMP或者干法刻蚀的方法将表面多晶硅去除，然后利用离子注入的方式对多晶硅进行掺杂。利用该改善工艺，可以去除芯片终端转角处沟槽填充产生的缝隙或者空洞，从而改善器件的击穿电压及漏电等。

主权项

一种超级结深沟槽填充工艺方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：步骤1，在超级结工艺制备过程中，利用光刻及干法刻蚀工艺在外延硅片上形成一定深度的深沟槽，该深沟槽的深度由器件的电特性来决定；步骤2，利用外延填充工艺在沟槽内填充单晶硅，由于晶向差异在终端沟槽区域内会有空洞或者缝隙出现；步骤3，通过一层光罩定义出除终端沟槽之外的区域，并将该区域用光刻胶所覆盖；步骤4，利用干法刻蚀将终端沟槽进行刻蚀，一直刻蚀至沟槽内的空洞或者缝隙完全被打开为止；步骤5，将光刻胶去除；步骤6，利用多晶硅填充工艺，将终端沟槽完全填充，并用化学机械研磨或者干法刻蚀的方法将硅表面多晶硅去除。