[发明专利]一种电主动调制的近红外薄膜型滤波器件有效
| 申请号： | 201210488203.0 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102937752A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 王彤彤;宋琦;高劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种电主动调制的近红外薄膜型滤波器件，属于薄膜沉积技术领域，为了实现使用电主动调制的可以在近红外波段改变滤波器件透过率或反射率的薄膜型滤波器件，本发明包括基底，在基底上面的光学透过区交替沉积多层Si材料层和SiO2材料层，在基底上面的两端分别沉积Si掺杂的P型正电极区和Si掺杂的N型负电极区；P型正电极区和N型负电极区分别通过导线连接到外接偏压的正极和负极上，可以通过电主动调制在近红外波段改变滤波器件透过率或反射率，具有很高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 主动 调制 红外 薄膜 滤波 器件 | ||
【主权项】：
一种电主动调制的近红外薄膜型滤波器件，包括基底（1），其特征是，在基底（1）上面的光学透过区交替沉积多层Si材料层（7）和SiO2材料层（8），在基底（1）上面的两侧分别沉积Si掺杂的P型正电极区（2）和Si掺杂的N型负电极区（3）；P型正电极区（2）和N型负电极区（3）分别通过导线（6）连接到外接偏压的正极（4）和负极（5）上。
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