[发明专利]低磁导率、低功耗的铁硅铝粉末材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210483506.3 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102969114A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 柯昕 | 申请（专利权）人： | 德清森腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/147 | 分类号： | H01F1/147;H01F1/08;B22D11/06;B22F9/04;C22C38/06 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王从友 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性材料的制造方法，尤其涉及一种低磁导率、低功耗的铁硅铝粉末材料及其制备方法。低磁导率、低功耗的铁硅铝粉末材料，所述的铁硅铝粉末在制粉工艺中采用甩带机高速冷却方法制带，冷却速度在104~106℃/秒；并通过气氛保护的机械破碎，制成扁平状铁硅铝粉末。本发明的优点在于：大大降低了粉末的氧含量，降低了产品晶粒粒度，从而降低铁硅铝产品的损耗，提升了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁导率 功耗 铁硅铝 粉末 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
低磁导率、低功耗的铁硅铝粉末材料，其特征在于：所述的铁硅铝粉末在制粉工艺中采用甩带机高速冷却方法制带，冷却速度在104~106℃/秒；并通过气氛保护的机械破碎，制成扁平状铁硅铝粉末。
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