[发明专利]一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法及扩散设备在审
| 申请号： | 201210475471.9 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103824761A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 沈家军;严婷婷;艾凡凡;陈如龙;杨健 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法及扩散设备。现有技术直接在清洗所形成的疏水性的硅片表面涂敷扩散源易造成扩散源收缩凝聚，从而导致扩散不均匀。本发明的可提高扩散均匀性的涂源扩散方法先提供完成制绒清洗的硅片，之后在所述硅片表面氧化形成氧化层，接着在所述硅片表面喷涂扩散源，最后进行热处理在所述硅片上形成PN结。本发明可有效提高扩散的均匀性，避免PN结未覆盖整个硅片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 扩散 均匀 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：a、提供完成制绒清洗的硅片；b、在所述硅片表面氧化形成氧化层；c、在所述硅片表面喷涂扩散源；d、进行热处理在所述硅片上形成PN结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡尚德太阳能电力有限公司，未经无锡尚德太阳能电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210475471.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
