[发明专利]晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备有效
| 申请号： | 201210470032.9 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103137866B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 牛仓信一;八木岩 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 陈桂香,褚海英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备。晶体管包括栅电极；半导体层，其在绝缘层置于半导体层与栅电极之间的状态下，面向栅电极；在半导体层上的蚀刻停止层；一对接触层，其至少在蚀刻停止层的两侧上设置在半导体层上；以及源‑漏电极，其通过一对接触层电连接到半导体层，并且与绝缘层相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：栅电极；半导体层，其在绝缘层置于所述半导体层与所述栅电极之间的状态下，面向所述栅电极；在所述半导体层上的蚀刻停止层；一对接触层，其至少在所述蚀刻停止层的两侧上设置在所述半导体层上；以及源‑漏电极，其通过一对所述接触层电连接到所述半导体层，并且与所述绝缘层相接触，其中，所述一对接触层包括位于所述蚀刻停止层的上表面上的部分和位于所述半导体层的上表面上的部分，并且因此处于不连续状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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