[发明专利]WCN纳米复合膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210468926.4 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102965616A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 喻利花;许俊华;王蕊 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种WCN纳米复合膜及其制备方法，采用真空多靶磁控溅射法在基体上共沉积得到，以W靶和C靶为阴极靶，Cr靶为直流靶，Ar和N2的混合气体中，真空室内共沉积在基体上形成厚度为1～3微米的WCN纳米复合膜，W靶功率固定为200W，C靶功率为120W，基体与靶之间施加偏压，基体负偏压取40V～200V间的任意压力；基体负偏压在40V～80V之间时，WCN纳米复合薄膜为六方α-WCN相结构，基体负偏压在80～200V之间但不等于80V时，WCN纳米复合薄膜从六方α-WCN相转变成立方β-WCN相；所述的WCN纳米复合膜的硬度值37GPa～44GPa，摩擦系数≥0.27。 | ||
| 搜索关键词： | wcn 纳米 复合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种WCN纳米复合膜，采用真空多靶磁控溅射法在基体上共沉积得到，其特征在于，以W靶和C靶为阴极靶，Cr靶为直流靶，Ar和N2的混合气体中，真空室内共沉积在基体上形成厚度为1～3微米的WCN纳米复合膜，W靶功率固定为200W，C靶功率为120W，基体与靶之间施加偏压，基体负偏压取40V～200V间的任意压力；基体负偏压在40V～80V之间时，WCN纳米复合薄膜为六方α‑WCN相结构，基体负偏压在80～200V之间但不等于80V时，WCN纳米复合薄膜从六方α‑WCN相转变成立方β‑WCN相；所述的WCN纳米复合膜的硬度值37GPa～44GPa，摩擦系数≥0.27。
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