[发明专利]一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法

摘要

一种提高YVO₄晶体生长质量的原料合成方法，针对传统晶体生长中原料合成因素导致晶体出现生长纹的问题利用大半径离子La³⁺替代Y³⁺进入晶格后所形成的张力可减小该离子Y³⁺附近刃型位错的应变能，从而可在一定程度上抑制位错的迁移和重排，即抑制小角度晶界的形成，可以有效改善纯YVO₄晶体的光学均匀性，获得高光学质量、较大尺寸、物理性能优良的YVO₄。

主权项

一种提高YVO₄晶体生长质量的原料合成方法,采用步骤如下：依据配比浓度在蒸馏水中加入浓硝酸并煮沸，加入Y₂O₃ 粉末同时称量一定量的NH₄VO₃粉末加入蒸馏水中煮沸搅拌后加入La₂O₃粉末，将两种溶液混合后不断搅拌，搅拌同时加入浓氨水来控制溶液的pH值，混合反应完全后将溶液静置沉淀得到的沉淀物烘干烧结成原料，其特征在于所述加入浓氨水控制溶液反应完全时的pH值在7~7.6之间。