[发明专利]金属粉末生产方法以及由该方法生产的金属粉末、导电糊和多层陶瓷电子元件有效

专利信息
申请号: 201210461986.3 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN103008685A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 秋本裕二;永岛和郎;家田秀康;前川雅之 申请(专利权)人: 昭荣化学工业株式会社
主分类号: B22F9/30 分类号: B22F9/30;H01B1/06;H01G4/008
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及金属粉末生产方法以及由该方法生产的金属粉末、导电糊和多层陶瓷电子元件。一种微细的、高结晶性金属粉末通过如下方法以低成本和高效率生产,该方法包括:将由一种或多种可热解的金属化合物粉末组成的原料粉末与载气一起通过喷嘴喷出到反应容器中;通过在温度T2下加热该原料粉末来生产金属粉末,该温度T2高于该原料粉末的分解温度且不低于(Tm-200)℃,其中Tm为待生产的金属的熔点(℃),同时允许原料粉末在其以10g/升以下的浓度分散在气相中的状态下通过反应容器,其中喷嘴开口部分的周围温度T1设定为400℃以上且低于(Tm-200)℃的温度。该金属粉末具有高纯度、极窄的颗粒尺寸分布和高可分散性且适用于形成多层陶瓷电子元件电极的导电糊。
搜索关键词: 金属粉末 生产 方法 以及 导电 多层 陶瓷 电子元件
【主权项】:
一种用于生产高结晶性金属粉末的方法,该方法包括:将由一种或多种可热解的金属化合物粉末组成的原料粉末与载气一起通过喷嘴喷出到反应容器中;和通过在温度T2下加热该原料粉末来生产金属粉末,该温度T2高于该原料粉末的分解温度且不低于(Tm‑200)℃,其中Tm为待生产的金属的熔点(℃),同时允许原料粉末在其以10g/升以下的浓度分散在气相中的状态下通过反应容器,其中将喷嘴开口部分的周围温度T1设定为400℃以上且低于(Tm‑200)℃的温度。
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