[发明专利]一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统有效
申请号: | 201210461395.6 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103811072A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 朱一明;苏志强;丁冲;张君宇 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06;G11C29/42 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 马晓亚 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及数据存储技术领域,公开了一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统,方法包括:在NAND Flash的外围电路中存储N个读取电压,所述N个读取电压按大小排列形成N+1个电压区间,在外围电路中分别存储各电压区间的统计次数,N为大于1的奇数;当接到读取命令时,分别用所述N个读取电压读取该页中各存储单元的存储状态,获取N份读取结果;依次确定各存储单元的存储状态和所处的电压区间,确定该页的读取结果,以及,对所述N个读取电压进行调整。本发明采用多次读取的方式,暂存每次读取的结果进行比较,配合ECC校验,可有效减少大规模读取中错误读取的概率,提高读取操作的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 可靠性 nand flash 读取 方法 及其 系统 | ||
【主权项】:
一种高可靠性NAND Flash的读取方法,其特征在于,在所述NAND Flash的外围电路中存储N个读取电压,所述N个读取电压按大小排列形成N+1个电压区间,在所述NAND Flash的外围电路中分别存储各电压区间的统计次数,所述N为大于1的奇数;当所述NAND Flash接到读取命令时,读取NAND Flash页的操作包括:分别用所述N个读取电压读取该NAND Flash页中各存储单元的存储状态,获取N份读取结果,其中所述存储状态为擦除态或编程态;依据所述N份读取结果,依次确定各存储单元的存储状态和所处的电压区间,当某存储单元位于某电压区间时,将该电压区间的统计次数加一,以及,依据所述各存储单元的存储状态确定该NAND Flash页的读取结果;对所述N+1个电压区间的统计次数进行分析,当满足预设调整条件时,对所述N个读取电压或所述N+1个电压区间的统计次数进行调整。
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