[发明专利]具有疏水层绝缘子的制造方法

摘要

本发明涉及一种具有疏水层绝缘子的制造方法，属于输变电器材领域。该方法采用水解法制备纳米二氧化硅，对纳米二氧化硅进行低能化处理，处理后对其在特定的有机溶剂中处理，制得纳米二氧化硅分散液，将清洗处理后的绝缘子基体置于分散液中得具有疏水层的绝缘子，本方法在绝缘子表面形成的本疏水层具有较高的疏水性能，用于绝缘子表面能够较好的实现绝缘子防覆冰的要求。

主权项

具有疏水层绝缘子的制造方法，包括绝缘子基体，其特征在于：采用以下步骤在绝缘子基体上制备疏水层：（a）将绝缘子基体置于纯水中清洗干净，放到烘箱中烘干，将EPTMS置于无水乙醇与纯水的混合液中溶解完全后将绝缘子基体放入，保持体系温度为 60℃ 1.5h，完成绝缘子基体表面的处理，所述的EPTMS克数与无水乙醇毫升数比值为1g:400ml，所述的纯水用量为无水乙醇体积的1/20；（b）将TEOS与无水乙醇制成混合溶液加入设置有搅拌装置的反应器中，滴加氨水与水的混合液，滴加完毕后继续搅拌2小时，将混合液置于真空烘箱中设定温度在120℃以130℃以下干燥20小时，得固体纳米二氧化硅，研磨后用300‑400目筛过滤，得纳米二氧化硅粒，所述的TEOS与无水乙醇的体积比为1:12‑15，所述氨水与水的混合液体积用量为无水乙醇体积的1/25 ，所述的氨水与水的混合液中氨水与水体积比为4‑5:1，所述的氨水与水的混合液的滴加速度为18‑22ml/min； （c）将DBTD 和PDMS 加入反应其中，并加入正庚烷，搅拌 10 分钟，加入纳米二氧化硅粒，并搅拌 50 分钟，室温下静置40h，得低表面能纳米二氧化硅粒，所述的DBTD 、PDMS、与纳米二氧化硅的重量比为DBTD ：PDMS：纳米二氧化硅=1:12:12，所述的纳米二氧化硅的克数与正庚烷毫升数的体积比为1g:11‑15ml；（d）将步骤（c）中所得低表面能纳米二氧化硅粒溶于无水乙醇中，搅拌分散均匀后加入反应容器中加热在65℃下搅拌加入APTES 、纯水和醋酸的混合液，在65℃连续搅拌2.5小时，获低能纳米二氧化硅分散液，所述的纳米二氧化硅克数与无水乙醇的毫升数比值为1:30‑32，所述的纳米二氧化硅与APTES的克数比值为9‑10:1，所述的纯水和醋酸的混合液加入毫升数为无水乙醇毫升数的1 /25,所述的纯水和醋酸的混合液的PH值为4‑5；（e） 将步骤（a）中处理后的绝缘子基体置于低能纳米二氧化硅分散液中使表面敷上分散液，取出后置于烘箱中在110℃烘干30分钟，取出后得表面具有疏水层的绝缘子。