[发明专利]非易失存储器的擦除方法及系统有效
申请号: | 201210460971.5 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103811066A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 苏志强;潘荣华;张现聚;丁冲 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/06 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种非易失存储器的擦除方法,包括:接收擦除操作指令;判断待擦除的存储单元的阈值电压是否正常,若是,则对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,反之,则对阈值电压不正常的存储单元进行初始预编程操作,直到所有待擦除的存储单元的阈值电压正常后,对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,初始预编程操作的编程电压小于正常预编程操作的编程电压;对预编程后的存储单元进行擦除操作;验证擦除操作后是否存在过擦除存储单元,若是,则修复存储单元,反之,则结束操作。本发明还提供了一种实现前述方法的非易失存储的擦除系统。本发明的非易失存储器的擦除方法及系统,能够避免因为异常掉电而有可能造成漏电流。 | ||
搜索关键词: | 非易失 存储器 擦除 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种非易失存储器的擦除方法,其特征在于,包括以下步骤:接收擦除操作指令;预编程模块判断待擦除的存储单元的阈值电压是否正常,若是,则对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,反之,则对阈值电压不正常的存储单元进行初始预编程操作,直到所有待擦除的存储单元的阈值电压正常后,对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,所述初始预编程操作的编程电压小于正常预编程操作的编程电压;擦除模块对预编程后的存储单元进行擦除操作;过擦除模块验证擦除操作后是否存在过擦除存储单元,若是,则修复所述存储单元,反之,则结束操作。
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