[发明专利]非易失存储器的擦除方法及系统有效

专利信息
申请号: 201210460971.5 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103811066A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 苏志强;潘荣华;张现聚;丁冲 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14;G11C16/06
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种非易失存储器的擦除方法,包括:接收擦除操作指令;判断待擦除的存储单元的阈值电压是否正常,若是,则对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,反之,则对阈值电压不正常的存储单元进行初始预编程操作,直到所有待擦除的存储单元的阈值电压正常后,对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,初始预编程操作的编程电压小于正常预编程操作的编程电压;对预编程后的存储单元进行擦除操作;验证擦除操作后是否存在过擦除存储单元,若是,则修复存储单元,反之,则结束操作。本发明还提供了一种实现前述方法的非易失存储的擦除系统。本发明的非易失存储器的擦除方法及系统,能够避免因为异常掉电而有可能造成漏电流。
搜索关键词: 非易失 存储器 擦除 方法 系统
【主权项】:
一种非易失存储器的擦除方法,其特征在于,包括以下步骤:接收擦除操作指令;预编程模块判断待擦除的存储单元的阈值电压是否正常,若是,则对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,反之,则对阈值电压不正常的存储单元进行初始预编程操作,直到所有待擦除的存储单元的阈值电压正常后,对所有待擦除的存储单元进行正常预编程操作,所述初始预编程操作的编程电压小于正常预编程操作的编程电压;擦除模块对预编程后的存储单元进行擦除操作;过擦除模块验证擦除操作后是否存在过擦除存储单元,若是,则修复所述存储单元,反之,则结束操作。
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