[发明专利]半导体器件的数值仿真数据处理方法和装置

摘要

本发明提供了一种半导体器件的数值仿真数据处理方法和装置。该方法在Polsky半隐式方法的基础上，在迭代中增加了对电子浓度nt+1、空穴浓度pt+1修正步骤。其计算量小，并且提高了数值的精度与仿真的稳定性。

主权项

1.一种半导体器件的数值仿真数据处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S100，在进行半导体器件数值仿真过程中，令T_t+1＝T_t+τ；其中，T代表时刻；t代表离散的时间网格点的下标，t=0,1,2,3，...为非负整数；τ为仿真推进时间步长；T₀为初始时刻，T_stop为终止时刻；步骤S200，利用上一时刻的电势φ^t、电子浓度n^t和空穴浓度p^t，按照Mock方法建立半隐式线性化载流子连续性方程；计算求解所述半隐式线性化载流子连续性方程，得到T_t+1时刻的电子浓度n^t+1和空穴浓度p^t+1；步骤S300，利用上一时刻的电势φ^t和步骤S200中得到的电子浓度n^t+1和空穴浓度p^t+1，按照Mock方法建立半隐性式线性化全电流连续性方程；计算求解所述半隐性式线性化全电流连续性方程，得到T_t+1时刻的电势φ^t+1；步骤S400，利用步骤S200得到的电子浓度n^t+1和空穴浓度p^t+1，以及步骤S300得到的电势φ^t+1，按照Polsky的方法，建立电势修正方程；计算求解所述电势修正方程，得到T_t+1时刻的修正电势步骤S500，利用步骤S200得到的电子浓度n^t+1和空穴浓度p^t+1，步骤S300得到的电势φ^t+1，以及步骤S400得到的修正电势建立载流子浓度修正方程；求解所述载流子浓度修正方程，计算得到T_t+1时刻的修正电子浓度和修正空穴浓度步骤S600，令t=t+1，电势电子浓度空穴浓度步骤S700，判断当前时刻T_t是否到达预先设置的终止时刻T_stop；如果是，则结束；否则返回步骤S100，进行下一时刻T_t+1的迭代计算。