[发明专利]半导体器件的数值仿真数据处理方法和装置有效
| 申请号: | 201210457513.6 | 申请日: | 2012-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN102968528A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 贡顶;沈忱 | 申请(专利权)人: | 苏州珂晶达电子有限公司 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 陈振 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 数值 仿真 数据处理 方法 装置 | ||
1.一种半导体器件的数值仿真数据处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S100,在进行半导体器件数值仿真过程中,令Tt+1=Tt+τ;
其中,T代表时刻;t代表离散的时间网格点的下标,t=0,1,2,3,...为非负整数;τ为仿真推进时间步长;T0为初始时刻,Tstop为终止时刻;
步骤S200,利用上一时刻的电势φt、电子浓度nt和空穴浓度pt,按照Mock方法建立半隐式线性化载流子连续性方程;计算求解所述半隐式线性化载流子连续性方程,得到Tt+1时刻的电子浓度nt+1和空穴浓度pt+1;
步骤S300,利用上一时刻的电势φt和步骤S200中得到的电子浓度nt+1和空穴浓度pt+1,按照Mock方法建立半隐性式线性化全电流连续性方程;计算求解所述半隐性式线性化全电流连续性方程,得到Tt+1时刻的电势φt+1;
步骤S400,利用步骤S200得到的电子浓度nt+1和空穴浓度pt+1,以及步骤S300得到的电势φt+1,按照Polsky的方法,建立电势修正方程;计算求解所述电势修正方程,得到Tt+1时刻的修正电势
步骤S500,利用步骤S200得到的电子浓度nt+1和空穴浓度pt+1,步骤S300得到的电势φt+1,以及步骤S400得到的修正电势建立载流子浓度修正方程;求解所述载流子浓度修正方程,计算得到Tt+1时刻的修正电子浓度和修正空穴浓度
步骤S600,令t=t+1,电势电子浓度空穴浓度
步骤S700,判断当前时刻Tt是否到达预先设置的终止时刻Tstop;如果是,则结束;否则返回步骤S100,进行下一时刻Tt+1的迭代计算。
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