[发明专利]双材料栅纳米线隧穿场效应器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210451527.7 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102956709A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 何进;张爱喜;梅金河;杜彩霞;张立宁;叶韵 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及双材料栅纳米线隧穿场效应器件及制造方法。该双材料栅纳米线隧穿场效应器件的中心为沟道，其两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。制造方法：在硅圆片上用圆形氮化硅硬掩模，SF6刻蚀出硅柱；高温氧化，HF水溶液腐蚀缩小硅柱尺寸达到直径6nm～30nm设定值，高温氧化形成设定厚度氧化层包围的硅柱；采用淀积与光刻技术完成双材料栅结构的制备；分别在120°~150°注入1×1020cm-2/10keV和5×1018cm-2/10keV的硼和磷，在900℃/10s~1100℃/10s退火制备源区和漏区；CMOS工艺完成金属电极制备；制成双材料栅纳米线隧穿场效应器件。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 纳米 线隧穿 场效应 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双材料栅纳米线隧穿场效应器件，包括源区、沟道、漏区和栅电极，其特征在于：所述器件中心为沟道，沟道两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。
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