[发明专利]一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210449342.2 | 申请日： | 2012-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102965538A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周济;杨广;孙竞博;李勃 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C22C5/06 | 分类号： | C22C5/06;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于新材料中新型金属和合金材料技术领域，特别涉及一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料及其制备方法。本发明薄膜材料的通式为Ag1-xPtx，其中x表示合金中Pt的原子百分比，其范围为4%~25%，本发明薄膜材料厚度为50~200纳米。本发明采用磁控溅射工艺制备，所用的溅射靶材为复合靶材，其与拟溅射的银铂合金薄膜成分相同，溅射气体是氩气，在纯银基底靶材上分别放置1~4个纯铂圆片，纯铂片与溅射银靶的溅射总面积的比值为0.04~0.16，通过适当的退火作用处理可以明显的降低合金薄膜材料的损耗。本发明制备工艺简单，容易得到，且成本也相对较低，其等离子性质在可见光频段优于常见的金属铜和金，在某些特定区域甚至与金属银相接近，是一种优异的等离子体低损耗基材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 合金 等离子体 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料，其特征在于：通式为Ag1‑xPtx，其中x的范围为0.04~0.25，薄膜厚度为50~200纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210449342.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新分数阶混沌电路
- 下一篇：一种利用制革废弃物制备表面施胶剂乳液的方法
