[发明专利]一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料，其特征在于：通式为Ag_1-xPt_x，其中x的范围为0.04~0.25，薄膜厚度为50~200纳米。

2.根据权利要求1中所述的一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料的厚度优选90~150纳米。

3.一种如权利要求1或2所述的多晶银铂合金等离子体材料的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺制备，所用的溅射靶材为复合靶材，其与拟溅射的银铂合金薄膜成分相同，溅射气体是氩气，在纯银基底靶材上分别放置1~4个纯铂圆片，纯铂片与溅射银靶的溅射总面积的比值为0.04~0.16，该方法具体步骤如下：

a. 以单晶硅为基片，将基片分别先后用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗8~10分钟，然后将基片浸入质量分数为4%的氢氟酸溶液中，浸泡20秒后取出晾干；

b. 采用超高真空直流磁控溅射镀膜机，在靶台上面安装纯度为99.99%的银靶材；将多个纯度为99.99%的铂圆片均匀等间隔的摆放在溅射靶的圆环状刻蚀区域中，形成复合靶材；

c. 将基片安装在基片转台上，基片与靶材的间距为6 cm；

d. 抽真空，使溅射真空室的背底真空度小于1.5×10^-4 Pa；

e. 将99.999%的高纯度的氩气通入真空室，氩气流量为9~11 sccm；

f. 当溅射气压值为0.5 Pa时，将超高真空闸板阀的开启度设定为10%~15%；

g. 待真空度稳定以后，在银靶材上设定30~35瓦的直流功率，电流大小为0.1安，预溅射5~10分钟；

h. 打开基片与靶材之间的样品挡板溅射成膜，基片以15转/分钟的速度均匀旋转，控制溅射时间为200~400秒成膜，此时基片不加热，保持常温状态；

i. 溅射完成后，关闭分子泵和机械泵，打开真空室，取出所制备的一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤a中所述单晶硅为取向为100的N型单晶硅。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤e中所述氩气流量优选为9.5~10.5 sccm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤e中所述氩气流量最优选为10.2 sccm。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤g中所述直流功率优选为32瓦。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：将步骤i中所制备的一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料放入Ar气保护下的管式炉中进行退火，退火温度为100~300°C，退火时间为半小时。